Новосибирский завод полупроводниковых приборов «Восток»

История

История предприятия начинается в 1949 году с основания научно-исследовательского института вакуумной техники с опытным заводом НИИ-617. Сегодня АО «НЗПП Восток» — ведущий российский разработчик и производитель электроники, операционных усилителей, фотоприемных устройств и датчиков. Мы предлагаем готовую продукцию и создаем инновационные технологические решения с «нуля», от этапа разработки до внедрения, для сектора реальной экономики и бизнеса.

2020-2030

В 2020 году на АО «НЗПП Восток» стартовала программа модернизации и технического перевооружения предприятия. Она рассчитана до 2030 года и предполагает строительство новых производственных мощностей для выпуска передовой микроэлектронной продукции.

2018-2022

Завершено объединение предприятий АО «Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ» (АО «НЗПП С ОКБ») и АО «Научно-производственное предприятие Восток» (АО «НПП Восток»). В процессе взаимной интеграции часть производств перемещена с промышленной площадки АО «НПП Восток» на АО «НЗПП с ОКБ».

2010

Разработана базовая конструкция и базовая технология унифицированных электронных модулей — защитных устройств РЭА от перенапряжений в сетях электропитания, возникающих при косвенном воздействии грозовых разрядов и в результате коммутационных переходных процессов с энергией воздействующих импульсов не более 150 Дж при длительности от 1 до 5 мс. Ведутся разработки как традиционной продукции — операционных усилителей, схем памяти, фотоприемных устройств, так и продукции в принципиально новых для предприятия направлениях — силовая электроника, цифровая рентгенография, средства связи. Разрабатываются новые изделия и устройства: универсальный таксофон, предназначенный для работы как в местном, так и междугороднем режимах, серии рентгеновских детекторов с электронным трактом визуализации изображения на экране персонального компьютера, блока детектирования для систем безопасности (совместно с Институтом ядерной физики), силовых транзисторов с полевым управлением и со статической индукцией заряда и другие приборы.

2005-2010

На «НЗПП С ОКБ» разработаны и введены в производство цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи.

2005-2006

На «НЗПП С ОКБ» разработана и освоена в производстве микросхема двухканального цифрового потенциометра на 256 положений с трех-проводным последовательным интерфейсом (1272ПНхТ).

2004-2006

На «НЗПП С ОКБ» разработаны и освоены в производстве 3 типономинала фильтров нижних частот (серия 1478).

2003–2004

На «НЗПП С ОКБ» освоено производство счетчиков электрической энергии.

2000

На «НЗПП С ОКБ» разработаны первые аналоговые КМОП-микросхемы, начат выпуск микромощных выпрямительных столбов для приборов ночного видения.

1991

На «НЗПП С ОКБ» выпущено максимальное количество полупроводниковых приборов и ИС (213,9 млн. штук).

1980–1985

На «НЗПП С ОКБ» разработан и освоен в производстве КМОП микропроцессорный комплект серии 1821.

1976–1986

На «НЗПП С ОКБ» разработаны первые отечественные ограничители напряжения мощностью 0,15; 0,5; 1,5; 5,0 КВт.

1975–1980

Разработка и освоение КМОП-интегральных микросхем с расширенным диапазоном питающих напряжений (от 3 до 18В).

1973–1975

Создание в ОКБ базовой КМОП-технологии, разработка САПР КМОП ИС и системы проектирования топологии и фотошаблонов.

1973

Освоение первых КМОП-интегральных микросхем с напряжением питания 10В, разработанных в ОКБ.

1970

Начало разработок в ОКБ интегральных микросхем на основе КМОП-технологии (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник).

1965

В НИИ-617 / НПП «Восток» организован отдел полупроводниковой техники. Впервые в стране разрабатывается и осваивается серия полевых транзисторов.

1963

В НИИ-617 / НПП «Восток» создана лаборатория, открывающая новое направление в создании электронных приборов на базе использования свойств твердого тела. Начаты работы над полупроводниковой тематикой.

1961–1975

Разработана серия стабилитронов с напряжением стабилизации от 0,7 до 100В и рассеиваемой мощностью от 125 до 1000 мВт, термокомпенсированные стабилитроны с уходом напряжения стабилизации до 0,001% на градус, разработаны основные принципы планарной технологии.

1961

ОКБ разработало первые изделия – стабилитроны Д814 и диод Д504.

1959

На НЗПП освоены диоды Д9, Д10, Д101-103А, Д11, стабилитроны Д808-813. Выпуск полупроводниковых приборов 10 млн. штук, электровакуумных приборов 4 млн. штук. В составе НЗПП создано Особое конструкторское бюро (ОКБ) («НЗПП С ОКБ»).

1957

На НЗПП завершено освоение производства первого полупроводникового диода Д2. Выпуск 59 тыс. штук.

1956

Завод частично введен в эксплуатацию. НЗПП принял к освоению и выпуску серии пальчиковых ламп широкого применения и сверхминиатюрные стержневые лампы.

1952

Строительство Новосибирского завода полупроводниковых приборов (НЗПП).

1949

Организован научно-исследовательский институт вакуумной техники с опытным заводом НИИ-617 (в дальнейшем НЭВИ, НИИ «Восток», НПП «Восток»).